Découvrez le Samsung SSD 850 EVO M.2

Qu’est-ce que la technologie V-NAND et en quoi diffère-t-elle des technologies de mémoire existantes ?

La mémoire flash de Samsung est fabriquée selon une architecture 3D V-NAND innovante, constituée de 32 couches de cellules empilées les unes sur les autres. Le résultat : une densité accrue et de meilleures performances dans un format réduit. Avec cette technologie, Samsung repousse les limites de densité de l’architecture NAND plane classique.

Optimisez votre ordinateur avec la technologie TurboWrite

Avec la technologie TurboWrite de Samsung, vous profitez de performances optimales en matière de lecture et d’écriture, ce qui se traduit par une rapidité de fonctionnement fulgurante de votre ordinateur. Le 850 EVO délivre en effet des performances supérieures d’environ 13 %* au 840 EVO, avec notamment des vitesses d’écriture aléatoire jusqu’à deux fois plus rapides**, de lecture séquentielle de 540 Mo/s et d’écriture séquentielle de 520 Mo/s.

* PCMark7 (250 Go) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO)
** Écriture aléatoire (QD32, 120 Go) : 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO)

Augmentez la mémoire cache avec le mode RAPID

Le Samsung 850 EVO M.2 est un monstre de vélocité. Avec la dernière version du logiciel Samsung Magician, vous pouvez activer le mode RAPID pour exploiter la mémoire (DRAM) disponible du PC ̶ jusqu’à 25 % de la capacité DRAM totale ̶ comme mémoire cache. Grâce à cette augmentation de la mémoire du PC, les vitesses de traitement des données et les profondeurs de file d’attente aléatoires peuvent être doublées* en mode RAPID.

* PCMark7 RAW (250 Go) : 7500 > 15000 (mode RAPID)

Endurance et fiabilité grâce à la technologie V-NAND 3D

Avec deux fois plus de TBW (nombre total d’octets écrits) que la génération précédente des 840 EVO**, le 850 EVO garantit une endurance et une fiabilité à toute épreuve. Sa garantie de cinq ans est elle aussi unique. Les performances du 850 EVO, jusqu’à 30 % supérieures, ne se dégradent pratiquement pas au fil des ans**, ce qui en fait l’une des solutions de stockage les plus fiables.

* TBW : 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 Go), 150 (850 EVO 500 Mo/1 To)
** Sustained Performance/performances dans la durée (250 Go) : 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), performances mesurées après un test d’écriture aléatoire de 12 heures

Une mémoire V-NAND 3D peu gourmande en énergie

Le 840 EVO avait fait découvrir au monde entier le mode veille de 2 mW. Voici désormais le 850 EVO et sa technologie révolutionnaire V-NAND 3D (50 % moins gourmande en énergie que la technologie NAND 2D plane). Cette technologie réduit la consommation d’énergie de 25 % durant les opérations d’écriture*.

* Énergie (250 Go) : 3,2 watts (840 EVO) > 2,4 watts (850 EVO)

Une forme flexible permettant une utilisation dans plusieurs types d’appareils

Polyvalent, le 850 EVO peut s’installer dans n’importe quel appareil, quel que soit le type de connecteur ou l’espace physique disponible. Le 850 EVO M.2 SATA arbore la même forme fine et étroite que les SSD de type M.2 PCle, mais il prend en charge l’interface SATA. Il est idéal pour booster votre expérience informatique sur les ordinateurs de bureau et les portables actuels, mais aussi sur les tablettes ultrafines disposant d’un espace interne limité.